求英文翻译！！急~

Question

Fundamental Operation of Halo Well Profiles
Halo profiles are created by implanting extra dopants into the wells immediately after tip implantation. The implant is typically performed at an angle and energy high enough to ensure the implant dose is outside the final SDE profile. After spacer processing and S/D anneal, the resulting profile diffuses due to TED effects, resulting in a relatively flat profile over the dimensions of current device sizes. Figure 34 shows experimental results for the as implanted and final doping profile for a typical boron halo implant. The data includes the effect from damage generated by the SDE and S/D implants. As can be seen, the profile is quite flat over the characteristic channel length dimensions for today’s 0.25?m and 0.18?m technologies. However, even though the halo profile is relatively flat, it still causes an increase in well doping as the gate length is decreased. This is because the same halo implant dose is confined in a smaller area. For flat well devices, IOFF quickly decreases as the channel length is increased. This is due to the exponential relationship between the current and the potential barrier in the subthreshold region. For the halo cases, the leakage current does not decrease as quickly with size. In fact, for extremely strong halos, an increase in IOFF with increasing size can be seen. This can be explained by the change in the source-to-drain potential barrier for different size devices in the case of the halo well. For the strong halo devices, the threshold voltage is rapidly decreasing as the device size increases.

可能会涉及到一些专业词汇 请在后面注明原英文。谢谢

翻译器请绕行~~~谢谢··
晚上12点前翻译好的有加分····

Answer 1

Halo光环钻井剖面的基本操作：
光环曲线入阱，注入后立刻植入额外的掺杂物。 植体在角度和能源的高到足以确保植入剂外侧面最终钻。间隔后处理S / D转换退火，产生的轮廓扩散由于泰德效应,导致了一个相对平坦的轮廓尺寸大小的电流装置。 图34显示了作为植入和最后一个典型的光环植入硼掺杂剖面的实验结果。 这个数据包括效应产生的伤害和S / D植入钻。 可以看出,轮廓的特征是通道长度尺寸为今天的0.25?m和0.18?m的技术单位。 然而,即使是相对平坦的光环的轮廓，在阱中的栅长以及掺杂增幅下降。这是因为同样的光环植入剂被限制在较小的区域。对于单位和设备，由于通道长度的增加而IOFF迅速下降。这是因为在现有的和在次临界区域潜在障碍指数的关系。对于Halo光环钻井情况下, 漏电流没有和尺寸大小减少一样快。 事实上,对于极强的光环,增加IOFF随着大小可以看出。这可以解释为在源到漏在不同情况下的光环大小设备的潜在障碍和变化。 因为光环仪器的坚固、门限电压迅速减少所以同时相应的设备尺寸增加。

Answer 2

Halo的基本操作井概况
晕配置文件创建的植入到井后，立即注入额外的小费掺杂。植入物通常是在一个角度和能量足够高的剂量，以确保植入的最后演出之外SDE的形象。间隔后处理及S / D退火，由此产生的个人资料，由于泰德扩散的影响，在1比目前的设备体积尺寸较平坦的剖面造成的。由于植入的最后一个典型的光环植入硼掺杂剖面图34显示了实验结果。这些数据包括来自该SDE和的S / D植入物产生的破坏作用。可以看出，配置文件是相当多的平坦通道特性为今天的0.25？0.18米，长度尺寸？米技术。然而，即使是相对平坦晕剖面，它仍旧会在闸极长度以及掺杂的增加降低。这是因为相同的光环植入剂量是在一个较小的范围局限。对于单位和设备，IOFF迅速下降的通道长度增加。这是因为在现有的和在次临界区域潜在障碍指数关系。对于光环的情况下，泄漏电流的大小不会降低尽快。事实上，极强的光环，在IOFF随着规模的增加可以看出。这可以解释为在源到漏在不同情况下的光环大小设备的潜在障碍和变化。对于强大的光环设备，阈值电压迅速成为器件尺寸的增加而减少。

Answer 3

基本操作的光环钻井剖面
光环曲线创造额外搀杂剂入井植入植入后立刻小费。植体在角度和能源的高到足以确保植入剂外侧面最终钻。处理后,S / D衬垫,产生的轮廓扩散的退火由于泰德效应,导致了一个相对平坦的轮廓尺寸大小的电流装置。图34显示实验结果对于作为植入和最终的兴奋剂剖面对一个典型的硼光晕。这个数据包括效应产生的伤害和S / D植入钻。可以看出,轮廓的特征是相当干脆沟道长度尺寸为今天的0.25 ?米和0.18 ?米的技术。然而,即使是相对平坦的光环的轮廓,它还导致增加的大门也服用兴奋剂的长度是减少。这是因为同样的光环植入剂禁闭在较小的区域。为平好装置,IOFF迅速下降通道长度的增加。这是由于指数之间的关系,在当前势垒阈地区。对于此日冕电流的情况下,不减少与大小一样快。事实上,对于极强的光环,增加IOFF随着大小可以看出。这可以解释这样的变化,source-to-drain势垒大小不同的装置的光环。因为坚固光环仪器、门限电压是迅速减少设备尺寸增加。

Answer 4

Halo光环钻井剖面的基本操作：
光环曲线入井，注入后立刻植入额外的小费。
植体在角度和能源的高到足以确保植入剂外侧面最终钻。
处理后,S / D衬垫,产生的轮廓扩散的退火由于泰德效应,导致了一个相对平坦的轮廓尺寸大小的电流装置。
图34显示实验结果对于作为植入和最终的兴奋剂剖面对一个典型的硼光晕。
这个数据包括效应产生的伤害和S / D植入钻。
可以看出,轮廓的特征是相当干脆沟道长度尺寸为今天的0.25 ?米和0.18 ?米的技术。
然而,即使是相对平坦的光环的轮廓,它还导致增加的大门也服用兴奋剂的长度是减少。
这是因为同样的光环植入剂禁闭在较小的区域。
为平好装置,IOFF迅速下降通道长度的增加。
这是由于指数之间的关系,在当前？？？？？？？？？？地区。（这里翻译不出来，应该是你们的专业术语吧）
对于此日冕电流的情况下,不减少与大小一样快。
事实上,对于极强的光环,增加IOFF随着大小可以看出。
这可以解释这样的变化,source-to-drain势垒大小不同的装置的光环。
因为光环仪器的坚固、门限电压迅速减少所以同时相应的设备尺寸增加。

希望我的翻译大概还令你满意。O(∩_∩)O~