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硅片技术参数
硅片
测试仪部分
技术参数
答:
在TTV(Total Thickness Variation,厚度偏差)测试中,仪器的精度同样出色,为±0.05um,重复性精度同样为0.050um,能够有效地检测
硅片
表面的细微变化。弯曲度测试范围在±500um至±850um,精度控制在±2.0um,重复性精度为0.750um,确保了硅片的平整度和完整性。测试仪不仅支持P型和N型晶圆硅片的...
硅片
的几何
参数
及测试
答:
多晶硅片以边长156mm为主,对角线219.2mm
。硅片检测主要测试项目有:边长、对角线、倒角、厚度、TTV、线痕、崩边、隐裂、翘曲、油污、电阻率、少子寿命
硅片
金钢线切割液主要
参数
指标是什么
答:
该参数指标包括以下几个方面:
1、pH值:pH值是切割液的酸碱度
,影响切割液的稳定性和金刚石微粉的沉降速度。2、浓度:浓度是指切割液中金刚石微粉的含量,影响切割液的切割能力和切割效果。3、粘度:粘度是指切割液的流动性,影响切割液的输送和循环效率,以及切割液对切割区域的冷却和清洗效果。4、温...
太阳能电池片156的含意是什么
答:
156是指电池硅片的边长尺寸,
一般多晶硅片都是156mm*156mm,而单晶硅片大多数是125mm*125mm,也有少数单晶硅片是156mm*156mm
,典型的156多晶硅片电池的性能参数如下:CSUN-M156-Dia219 Eff(%) Pm(Wp) Vap(V) lap(A) Voc*(V) lsc*(A)CSUN-M156-Dia219-1750 17.50 4.26 0.500 8...
谁了解太阳能电池片得工艺
答:
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,
这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等
。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹...
刻蚀的9个重要
参数
答:
刻蚀的9个重要
参数
如下:1.刻蚀速率 刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除
硅片
表面材料的速度通常用/min表示,刻蚀窗口的深度称为台阶高度。为了高的产量,希望有高的刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中,这是一个很重要的参数。刻蚀速率由工艺和设备变量决定,如被刻蚀材料类型、蚀机的结构配置、使用的刻蚀气体...
硅片
清洗
技术
手册(材料科学和工艺技术)
答:
等离子
硅片
清洗条件
参数
:1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤:首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉;所用气体选自02、Ar、N2中的任一种;气体冲洗流程的工艺参数设置为:腔室压力10-40毫托,工艺气体流量100-500sccm,时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为:腔室压力1040...
硅片
切片工艺计算表中文版 ,包括砂浆配比计算和HCT机台工艺
参数
有哪些...
答:
硅片
切片工艺计算表中文版,您说的这个是什么?砂浆配比如果你是做生产的话 就没必要计算了 1:0.96 液:砂 密度在1.630左右就可以了 这个数值是通用的。至于工艺
参数
,其实也算一点商业机密的。每个厂子用的工艺不一样,产能和效率也是有所区别的。
两种太阳能电池片
参数
介绍
答:
五、等离子刻蚀由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,
硅片
的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结通常采用等离子刻蚀
技术
完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,...
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