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硅片技术参数
进行
硅片
测试的原因
答:
3. 电学性能测试:
硅片
在半导体器件中的电学性能至关重要。电学性能测试可以包括测量硅片的电阻、电容、漏电流等
参数
,以评估其性能和可靠性。4. 光学性能测试:硅片在光电子器件中也扮演重要角色。光学性能测试可以包括测量硅片的透明度、折射率、反射率等参数,以评估其光学特性和适用性。5. 表面质量检查...
rn246光刻胶匀胶
参数
答:
正性光刻胶RZJ-304 RZJ-304:25mpa·s,50mpa·s(粘稠度),配用显影液:RZX-3038
光刻显完影沟道里有残余的胶 一般调什么
参数
答:
光刻显完影沟道里有残余的胶一般需要调的
参数
:1、分辨率(resolution)。区别
硅片
表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,CriticalDimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。2.对比度(Contrast)。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭...
各种基本电子元器件的详细介绍
答:
1、
参数
识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。换算方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100Kb、色环标注法使用最多,现举例如下:四色环电阻五色环...
光刻
技术
的原理是什么?
答:
光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工
技术
。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、
硅片
氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是...
半导体单晶
硅片
翘曲度都和哪些因素有关?
答:
4. 外部应力:外部应力如机械力、压力或附加材料的应力等也可能导致
硅片
的翘曲。这些应力可能来自于制造过程中的机械处理或封装过程中的应力释放。5. 制造工艺:硅片的制造过程中的工艺步骤和
参数
也会对翘曲度产生影响。例如,晶圆的切割、薄化、腐蚀、退火等步骤都可能对硅片的翘曲度造成影响。
您好,请教太阳能电池的基本
参数
及其意义,谢谢!
答:
效率的话 简单来说就是单位面积内的光能转化成电能的比率 填充因子 就是(最大功率)/(短路电流X开路电压)漏电流是 给电池片加上反向电压是流过PN结的电流 并阻 是反映漏电流的大小从而加入在电池
参数
中的一个虚拟的参数 串阻 是由电极电阻 接触电阻 扩散薄层电阻
硅片
体电阻加在一起的一个电阻...
光刻胶的作用
答:
5.光刻胶的主要
技术参数
5.1.灵敏度(Sensitivity)灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。5.2.分辨率(resolution)区别
硅片
表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小...
电荷耦合器件是什么意思?怎原理?
答:
电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)是一种用于探测光的
硅片
,由时钟脉冲电压来产生和控制半导体势阱的变化,实现存储和传递电荷信息的固态电子器件。电荷耦合器件由美国贝尔实验室的W.S.博伊尔和G.E.史密斯于1969年发明,它由一组规则排列的金属-氧化物-半导体( MOS)电容器阵列和输入、输出电路...
怎么在
硅片
上形成二氧化硅阵列
答:
6. 控制二氧化硅厚度:通过对制备过程中的温度、时间等
参数
的控制,可以调节二氧化硅膜的厚度,从而形成所需的阵列结构。以上是一般的步骤,具体的操作需要根据实际需求和实验条件进行调整。此外,在实施过程中需要注意操作的安全性和对环境的保护。有需要的时候,可以请相关专业人士或
技术
人员的指导和帮助。
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