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硅片技术参数
一个卧式氧化炉满载时可以放100片生产
硅片
,那么使用这个氧化炉进行氧化...
答:
3. 每片
硅片
大小:根据行业标准,4-6英寸硅片最常见。4. 单片硅片重量:4英寸约40-60克,6英寸约100-150克。5. 那么100片硅片总重量约:4英寸片计算,100片约4-6公斤。6. 氧化温度:热氧化硅片温度约为900-1200°C。7. 应注意氧化时的均匀性、温度分布、气氛等
参数
控制。8. 可以分批进行氧化,每...
IGBT主要
技术参数
!
答:
图11所示是三个具有等效特性但采用不同
技术
制造的器件的波形及关断时间 。 最大工作频率 开关频率是用户选择适合的IGBT时需考虑的一个重要的
参数
,所有的
硅片
制造商都为不同的开关频率专门制造了不同的产品。 特别是在电流流通并主要与VCE(sat)相关时,把导通损耗定义成功率损耗是可行的。 这三者之间的表达式:Pcond...
什么是100晶向的
硅片
?
答:
1. 基础晶体结构:硅的晶体结构是面心立方(FCC),其中(100)晶向是最密堆积的晶面。这意味着(100)晶向的
硅片
在晶格结构上具有较高的平坦度和晶格
参数
的一致性,使其更适合用作半导体器件的基板材料。2. 制造工艺优势:(100)晶向的硅片在制造工艺上具有优势。由于其表面平整度高,可以更容易地进行...
谁了解太阳能电池片得工艺
答:
硅片
是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些
技术参数
进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测...
请问:康佳电磁炉
硅片
和晶闸管散热器上的那个热敏电阻的
参数
是多少?
答:
100K 3950
问一问广大发烧友,这个散热
硅片
可信吗?只要6块钱。125w/mk(看下面
参数
...
答:
导热系数有点虚高了和价格不成正比,不过也就6块钱,又不是花不起 愿意买就买呗,望采纳
硅片
里的金属有那些
答:
硅单晶的主要
技术参数
硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼,N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。 电阻率与均匀度 拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻...
可控硅限流电阻的
参数
是怎么确定的?电阻R6和R7的电阻大小和功率选择是怎...
答:
由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,
硅片
在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,...
硅片
的背面减薄
技术
主要有
答:
1、旋转磨削法:是一种常用的
硅片
减薄
技术
,其原理是将硅片固定在磨床上,通过旋转金刚石砂轮的方式对硅片进行磨削减薄,在磨削过程中,可以获得高精度和高质量的硅片表面。2、湿法腐蚀:利用化学溶液对硅片背面进行腐蚀,通过控制腐蚀时间和温度等
参数
,可以控制腐蚀的深度和速度,从而达到减薄的效果。3、...
切片机的
技术参数
答:
1、动力系统:HTC的平均线速只有8.4米/秒,远低于NTC的10.5-11米/秒,更低于MB的13米/秒。这种要求直接导致了安永机器必须用相当低粘度的切割液,切割液本身的粘度低至不到20,砂浆粘度不超过150,大大限制了机器的砂浆流量,降低了切割效率。尤其是这种
硅片
切割液在国内很少有,即便有也不一定好用...
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