硅片测试仪部分技术参数

如题所述

硅片测试仪具有多种关键的技术参数,确保了其在半导体行业的广泛应用。首先,测试仪适用于尺寸广泛的晶圆硅片,从50mm到300mm,满足不同规格的需求。在厚度测量方面,其标准测试范围可达1000um,甚至可以扩展至1700um,精度高达±0.25um,重复性精度则为0.050um,保证了数据的准确性和一致性。


在TTV(Total Thickness Variation,厚度偏差)测试中,仪器的精度同样出色,为±0.05um,重复性精度同样为0.050um,能够有效地检测硅片表面的细微变化。弯曲度测试范围在±500um至±850um,精度控制在±2.0um,重复性精度为0.750um,确保了硅片的平整度和完整性。


测试仪不仅支持P型和N型晶圆硅片的导电型号,还兼容多种半导体材料,如Si、GaAs、InP和Ge等,适用于硅片处理的各个阶段,包括切片、磨片、蚀刻、抛光,以及出厂和入库的质量检测。无论是标准平面还是缺口,仪器都能适应所有半导体的需求。


硅片的安装方式多样,可以是裸片,也可以配合蓝宝石或石英基底,甚至是使用黏胶带,以适应不同的实验环境和需求。测试仪采用连续5点测量技术,确保了测试结果的全面性和可靠性。


扩展资料

无接触硅片测试仪(HS-NCS-300型)可以测量硅片厚度总厚度变化 TTV 、弯曲度, 该仪器适用于 Si , Ga,As , InP Ge 等几乎所有的材料

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