Mg的第一电离能为736KJ/mol；
Al的第一电离能为577KJ/mol。
Al＜Mg
N的第一电离能为1400KJ/mol；
O的第一电离能为1310KJ/mol。
O＜N
事实上不光如此：
Be的第一电离能为900KJ/mol；
B的第一电离能为799KJ/mol。
B＜Be
P的第一电离能为1060KJ/mol；
S的第一电离能为1000KJ/mol；
S＜P
可见，这不是单独的现象，这是ⅡA族和ⅢA族以及ⅤA族和ⅥA族之间的共存的性质。
为什么会这样呢？这得从电子构型讲起。不知道你晓得电子亚层轨道不？比如说第二层轨道就分有两种轨道，一个是圆形的s轨道，还有一个是无柄哑铃形的p轨道。你查周期表就能看到：ⅤA族元素外层电子都是ns2 np3的构型，ⅥA族则是ns2 np4的构型。在这里，得说一下，轨道以半满和全满状态为稳定状态。p轨道的角量子数是1，磁量子数是-1，0，1，也就是说p轨道是有3个方向的，即x、y、z。所以，p轨道上一共能容纳6个电子，每一个p轨道上能容纳2个自旋相反的电子。
而电子进驻原子轨道，比如说氧，2p3个轨道上，电子进驻顺序是x，y，z，x。也就是前面进入的3个电子是分开独立占据1个轨道，第4个电子反向进入x轨道。这也就是为什么半满和全满最稳定的原因。
你看N族元素，p轨道是半满，是比较稳定的。（所以空气中氮气含量最多，这就是常温下氮气化学性质极不活泼的原因。）要想把其中一个p电子电离出来，自然要比电离O的要难得多，因为O是4个电子，其中有一个相当于是被迫逼进px轨道的，要想把它电离出来自然要比电离N的半满结构的p电子容易得多。
同理，Mg是3s轨道全满，Al却多一个p电子，这个电子在p轨道里没有半满，所以也很容易电离。
简单的说，就是在ⅡA族和ⅢA族以及ⅤA族和ⅥA族之间都存在一个亚层轨道的能量间距，要电离，给的能量要加上这个亚层轨道的能级差。正是因为这个能级差才导致了你说的这种情况的发生。
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