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晶体管工作在饱和区的特点
晶体
三极管工作在饱和区的
工作条件是
答:
晶体三极管工作在饱和区的工作条件是介绍如下:三极管进入饱和状态,
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置
。对于共射电路,UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关,而且明显随UCE增大而增大,IC《IB。在实际电路中,如晶体管的UBE增大时,IB随之增大,但IC增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和...
晶体管工作在饱和区的
条件是
答:
晶体管工作在饱和区的条件是发射结偏置,集电结偏置
。根据查询相关公开信息显示,发射结正向偏置,集电结反向偏置,晶体管工作在饱和区时,发射结正偏置、集电结正偏置,在晶体管中,除了自由电子在扩散过程中形成的电流外,还存在集电区和基区中的少数载流子相互漂移运动形成的饱和电流。
晶体管
输出
特性
的三个
工作区域
及不同工作状态下发射结和集电结的状态...
答:
三极管输出特性曲线图大致分为三个工作区域;饱和区、放大区、截止区;1)在放大区中,
发射结电压为正向偏置并约固定在0.7V
,而集电结则为反向偏置;2)在饱和区中,发射结电压为正向偏置并约固定在0.7V,而集电结则为正向偏置;3)在截止区中,发射结电压为正向偏置但是电压低于其导通电压0.7V...
如何判断电路中的一个NPN硅
晶体管处于饱和
,放大,截止状态
答:
3
饱和区 其特征是发射结与集电结均处于正向偏置
,即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大,Ic小于βIb。在实际电路中,若晶体管的Ube增大时,Ib随之增大,但Ic增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Uce=0...
晶体管在
临界
饱和
状态
有什么特点
答:
临界状态下的晶体管应该是发射结正偏、集电结0偏,因此这时仍然处于放大状态;
但是发射极电流再增大一点,即进入过饱和状态
,即集电结和发射结都处于正向偏置的状态,这时输出电流就由电源电压和负载电阻决定,而与发射极电流无关,晶体管即失去了放大作用——谈不上电流放大系数。详见“http://blog....
集成运放工作在饱和区与
晶体管工作在饱和区有何
区别?
答:
2、集成运放
工作在饱和区
时,集成运放的输出与输入之间是非线性的,输出电压uom。或等于加um或等于减uom。3、集成运放工作在饱和区时,虽然同相端和反相端上的电压大小不等,但是由于集成运放的输入电阻很大,所以输入端的信号电流很小而接近于零,这样集成运放仍然具有虚断
的特点
,但不存在虚短。
三极管饱和区的
“饱和”是指什么饱和?为什么要叫饱和呢?
答:
在
晶体三极管
中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是
晶体管饱和区
。在此区域内,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V 。当
三极管的
集电结电流Ic增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,进入饱和区。饱和时,Ic最大,集电极和发射之间的内阻最小,电压Uce只有0.1V~0....
为什么
三极管
(BJT)的
饱和区
和场效应管(MOSFET)的饱和区不同?
答:
在电子元件的世界中,BJT和MOSFET作为两种基本的
晶体管
,其
工作
原理各有特色。BJT的饱和区,其核心概念是载流子浓度的控制,当EB结和CB结均呈正向偏置时,它进入了一个独特的状态。
在饱和区
,由于注入效率的差异,电流从发射极E流向集电极C,同时Vce(集电极-发射极电压)保持在极低值,使得ICE-Vce曲线...
当
晶体
三级管 时
处于饱和
状态
答:
当晶体管集射电压接近零伏时
晶体管处于饱和
状态。处于饱和状态的晶体管在退出饱和状态之前集电极电流不随基极电流变化,同时集电极电位也不发生变化。也就是处于饱和状态的晶体管没有放大作用。
晶体管
有几种
工作
状态
答:
晶体管
有截至、放大、饱和三种工作状态:1、截至工作状态是
三极管
基极电压太小,不足以打开集电极和发射极之间的电流;2、
饱和工作
状态是三极管基极电压太大,基极电压不管是否有变化,集电极和发射极之间的电流始终达到最大;3、放大工作状态是三极管基极电压大小在上述两种状态之间,集电极和发射极之间的电流...
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