如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态

Question

如题所述

Answer 1

下面我通过共射电路结合其输出特性曲线向你介绍下：

1 截止区

其特征是发射结电压小于开启电压Uon且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube小于等于Uon且Uce大于Ube。此时Ib=0，而Ic小于等于Iceo因为Iceo常常小于几十微安。因此在近似分析中可以认为晶体管截止时的Ic约等于0.

2 放大区

其特征是发射结正向偏置，（Ube大于发射结开启电压Uon）且集电结反向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce大于等于Ube。此时Ic几乎仅仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用，Ic=βIb，ΔIc=βΔIb。在理想情况下，当Ib按等差变化时，输出特性是一族与横轴平行的等距离直线。

3 饱和区

其特征是发射结与集电结均处于正向偏置，即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大，Ic小于βIb。在实际电路中，若晶体管的Ube增大时，Ib随之增大，但Ic增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当Uce=Ube，即Uce=0时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界放大状态。

4 建议你看下《模拟电子技术基础》第三版 清华大学高教版 童诗白 华成英  第一章很详细的介绍了这部分。没有书可以去图书馆借下看看！

Answer 2

用电压表测基极与射极间的电压UBE。
若此电压小于0.6V，为截止状态；
若此电压等于或略大于0.7V，再测CE间电压：若CE电压大于1V，为放大状态；
若CE电压小于1V，为饱和状态。本回答被提问者采纳

Answer 3

1.只要b.e两端的电压等于0.7伏特就是正常工作了，否则得话就会小于0.7，也就是截止状态
至于大于0.7，这个电路显然是错误的，。。。
2.三极管正常工作在放大状态，那你增加他的输入电压，输出电压就会变大，
当增加到一定数值时，输出电压就不增加了，他就在饱和状态了。
我是这样理解的，也有其他方法，不过我看这个最方便

Answer 4

饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V.
放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压.
截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.