晶体三极管工作在饱和区的工作条件是

如题所述

晶体三极管工作在饱和区的工作条件是介绍如下:

三极管进入饱和状态,其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE》UON且 UCE《UBE。

此时IC不仅与IB有关,而且明显随UCE增大而增大,IC《IB。在实际电路中,如晶体管的UBE增大时,IB随之增大,但IC增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当UCE=UBE,及UCB=0时,晶体管处于临界状态,及临界饱和和临界放大状态。

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定:

发射结正偏,集电结反偏——放大状态;

发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态;

发射结反偏,集电结也反偏——截止状态。

这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制,例如:在放大状态时,随着输入电流的增大,当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时,则电源电压就完全降落在负载电阻上,于是集电结就变成为0偏压,并进而变为正偏压——即由放大状态转变为饱和状态。

当输入电压反偏时,则发射结和集电结都成为了反偏,没有电流通过,即为截止状态。

正偏与反偏的区别:对于NPN晶体管,当发射极接电源正极、基极接负极时,则发射结是正偏,反之为反偏;当集电极接电源负极、基极(或发射极)接正极时,则集电结反偏,反之为正偏。总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。

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