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晶体管工作在饱和区的特点
晶体管的
输出
特性
,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫
饱和区
,而...
答:
当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时
三极管
已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为
饱和区
!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,算一下电源Vcc除以RC的值,得到的就是饱和电流,只要电流Ic小于饱和电流,就处于放大区;只要电流Ic大于...
怎么样才能判断
三极管
是
工作在
放大区,还是
饱和区
还是截止区
答:
没有电流通过,即为截止状态。正偏与反偏的区别:对于npn
晶体管
,当发射极接电源正极、基极接负极时,则发射结是正偏,反之为反偏;当集电极接电源负极、基极(或发射极)接正极时,则集电结反偏,反之为正偏。总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
测量某硅bjt各电极对地的电压值如下 试判断
管子工作在
什么
区域
答:
Vbe = Vb-Ve,1、如果 Vbe = +0.7V,那么就是 NPN 了,此时Vc>Vb,则
三极管
处在放大区,而 Vc<Vb,同时 Vc>Ve,三极管处
在饱和区
;2、如果 Vbe = -0.7V,那么就是 PNP 了,此时 Vc<Vb,则三极管处在放大区,而 Vc>Vb,Vc<Ve,三极管处在饱和区;NPN,发射极的电压最低,PNP,...
晶体
三极管工作在
放大
区的
条件?
答:
截止区,即
三极管工作在
截止状态,IB=0,IC几乎等于0,仅有极微小的反向穿透电流Iceo流过。
饱和区
,即发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制。根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别
三极管的
工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压。
三极管饱和
导通时,集电极电流是多少?
答:
Uce=Uces,即使
在饱和
状态下Ube ≈0.7v,9013、9012饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V 。
三极管饱和
导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的,电流方向由电源正极图负载、
三极管的
ce极流向负极。因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic(βIb>>Ic),因此集电极电流Ic的大小取决于外电路...
MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了
答:
如图为增强型N沟道、P沟道MOSFET。P MOSFET除了代表衬底的B的箭头方向外,其他部分均与NMOS相同。N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为:VGS 大于等于 VT 可变电阻区与
饱和区的
界线为 VDS= VGS-VT。在可变电阻区内:VGS >=VT, VDS <= VGS-VT。
在饱和区
内:VGS>=VT, VDS >= VGS-VT...
晶体管处于
放大
饱和
截止倒置的条件什么
答:
饱和
状态的条件是,发射结正向偏置,集电结也正向偏置。截止状态的条件是,发射结反向偏置,集电结也反向偏置。
晶体
三极管工作在
放大
区的
条件?
答:
截止区,即
三极管工作在
截止状态,IB=0,IC几乎等于0,仅有极微小的反向穿透电流Iceo流过。
饱和区
,即发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制。根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别
三极管的
工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压。
三极管饱和的
条件是什么?
答:
(2)当 VBB=1V 时因60bBEQBBBQ==RUVIμAV9mA3CCQCCOBQCQ===RIVuIIβ所T 处于放大状态。Vbb=0V时,三极管截止,Uo=12V;Vbb=1V时,Ib=(1-0.7)/5k=60uA,Ic=100*Ib=6mA,Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V;Vbb=2V时,Ib=(2-0.7)/5k=260uA,
三极管饱和
时Ic=12/1k==12mA...
关于静态点Q的分析,放大电路中Re太大为什么会使
晶体管
进入
饱和区
...
答:
三极管的工作
电压Vec=Vcc-VRc-VRe,即:三极管的工作电压等于电源电压减去集电极电阻再减去发射极电阻上的压降。如果电阻Re过大,则压降VRe也会较大,因此可能导致Vec接近0,从而使三极管进入
饱和
状态。
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