现在，科学家已开发出了当今性能最优异的碳纳米晶体管，它在某些方面的性能指标，已超过了世界上最先进的硅晶体管。这一发明，让未来半导体行业的主要材料碳纳米晶体管取代了硅晶体管，在创造发明的前进道路上又迈出了一大步。
这种新开发出的“单层碳纳米管场效应晶体管”，采用的结构与传统的“金属氧化物半导体场效应晶体管”非常相似。其单位宽度的跨导参数值是目前性能最好的“金属氧化物半导体场效应晶体管”的2倍以上。用这样的方法制造出来的碳纳米晶体管，和以前设计的碳纳米晶体管比较，在衡量晶体管电流载流量的跨导参数值上创造了新的最高纪录。载流量与晶体管的速度有着一定的关联性，跨导参数值越高，晶体管的运行速度就会越快，所制造成的集成电路的功能，也将会更加的强大。
现有的硅芯片在未来十几年将达到物理极限，能显著缩小晶体管尺寸的纳米电子技术，将会大有所为。其中，具有神奇性能的碳纳米晶体管替代硅材料将是一个发展的趋势。
科学家证实，碳纳米晶体管作为硅晶体管的替代品，可行性是非常大的。在目前看来，科学家无法找到通过缩小硅芯片的尺寸来提高芯片速度很好的办法，所以，碳纳米晶体管的作用将会显得更加突出。
科学家指出，碳纳米晶体管的电子器件真正的被商业化应用，从而投入使用，可能还需要十几年的时间。不过，从硅电子时代到纳米电子时代的过渡，是不会一蹴而就的，它将是一个循序渐进的过程。