北大团队造出90nm碳纳米管晶体管，助推碳基芯片的工程化发展，相关氢气传感器产品已经上市

Question

如题所述

Answer 1

北京大学的科研巨头们，由彭练矛院士和张志勇团队领航，已经成功突破技术壁垒，研发出了一款令人瞩目的90nm碳纳米管晶体管。这款创新性器件展现出前所未有的集成能力，其6管SRAM单元面积仅为1μm²，性能超越了硅基45nm标准，证明了碳基半导体材料在高密度电子器件中的潜力。

他们首次实现了非硅材料在小于1μm²的6-T SRAM设计上的突破，这是对90nm技术节点的重大贡献。团队进一步探索了全接触结构，将碳纳米管晶体管CGP的研发推进到55nm，性能超越了硅基的10nm节点，彰显了碳纳米管在高性能数字集成电路领域的强大优势。

张志勇教授作为研发的核心力量，倾力于90nm碳纳米管CMOS芯片工艺的革新。在他的指导下，博士研究生林艳霞经过五年不懈努力，克服了新冠带来的挑战，成功研发出这一里程碑式的碳纳米管晶体管，其成果发表在权威期刊Nature Electronics上。论文中，林艳霞与曹宇副研究员共同署名，彭练矛院士和张志勇作为通讯作者，共同推动了这一科研进展。

值得一提的是，他们的高灵敏度传感器产品已经进入市场，预计在未来的两年内，将广泛应用于食品安全等关键领域。尽管面临着NMOS晶体管氧化问题的挑战，团队的目标是实现6T CMOS静态随机存取存储器的碳管工艺，以推动碳基芯片的工程化进程。

团队正在致力于建立标准化的碳基芯片生产工艺，以加速其工程化应用。当前，碳纳米管芯片正经历工程化的迭代升级，预计将在传感器、射频技术以及高端数字芯片领域崭露头角。他们雄心勃勃，计划在2037年实现7nm的碳基工艺，这一突破将超越传统半导体技术的局限，预示着碳纳米管芯片将深刻改变我们的生活。

尽管未来还有许多挑战等待克服，但北京大学的这一创新成果无疑为碳基芯片的未来开辟了新的可能。让我们共同期待，碳纳米管芯片将在不久的将来，以更加高效、环保的形式，走进我们的日常生活。