这种说法是错误的,
不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.
区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度.
“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。
在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主
“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。
在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。
拓展资料:
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主.
资料参考:百度百科 N型半导体 百度百科 P型半导体