832材料科学基础材料中的扩散？

Question

用限定源方法向单晶硅中扩散硼，若t=0时硅片表面硼总量为5×1010mol/m3，在1473K时硼的扩散系数为4x10-9㎡/s，在硅片表层深度为8μm处，若要求硼浓度为3×1010mmol／m3，问需进行多少小时的扩散？

Answer 1

武汉理工大学考研用书833材料科学基础是张联盟、黄学辉、宋晓岚编写的《材料科学基础》，出版社是武汉理工大学出版社。《材料科学基础》是教育都高等教育百门精品课程教材建设计划立项研究项目教材，是普通高等教育“十一五”国家级规划教材，是“材料科学基础”友枯国家级精品课程教材。本书主要从一级学科层次上阐述材料的组成与结构、制备与加工、性质、使用性能等材料科学与工程主要要素之间的相互关系及其制约规律。扩展资料一、《材料科学基础》基本介绍“材料科学基础”是高等学校材料科学与工程一级学科专业课程体系中一门重要的学科基础课程。全书主要包括12章内容：材料引言、晶体结构、晶体结构缺陷、非晶态结构与禅告旁性质、表面结构与性质、相平衡与相图、基本动力学过程——扩散、材料中的相变、材料制备中的固态反应、烧结、腐蚀与氧化、疲劳与断裂等。本书可供高等学校材料贺橡科学与工程一级学科(本科)专业的学科基础课程教学使用，也

Answer 2

主要依赖热缺陷进行郑枝的扩散叫本征扩散。在杂质原子往半导体中进行热扩散时，如果杂质原子的浓度小于热扩散温度下半导体中的本征载流子浓度，则杂质原子的扩散系数为常数，这种扩散就称为本征扩散。只有在掺杂浓度较低、或者扩散温度不是太高时才可能是本征扩散。满足喊悉敏本征扩散条件的区域即称为本征扩散区。在本征扩散区内，如果扩散有两种杂质，则总的扩散杂质分布将是二者分别扩散所得结果的叠加（即两种杂质的扩散可以分别独立地处理）。其主要分为位错扩散、空位扩散和间隙扩散。扩散受外界因素，如杂质离子的电价和浓度等控制的而非本征因素，即结构中本征热缺陷提供的空位浓度远小于杂质空位浓度的扩散，称为非本征陆数扩散