第四章 主存储器
4.0 基本概念
4.1 主存储器分类，技术指标
理解主存储器的分类与技术指标是计算机组成原理学习的基石。分类包括静态存储器（SRAM）与动态存储器（DRAM），而技术指标涉及容量、速度与稳定性。
4.2 读/写存储器
主存储器的基本操作包括读取与写入。读取过程从地址寄存器（AR）获取地址信息，经过信号传输后，数据从存储器（MEM）读出并传至数据缓冲寄存器（DB），最终由数据总线（DB）传递至CPU。
写入过程同样从地址寄存器获取地址信息，将数据从数据缓冲寄存器传至存储器，信号通过总线完成写入操作。这些操作确保了数据的高效交换。
4.3 随机存储器 RAM
随机存储器RAM的半导体存储芯片具有丰富的结构，包括地址线、数据线与芯片容量。容量大小直接影响存储能力，通过不同的结构设计实现。
芯片的译码驱动方式包括线选法与重合法，这些方法确保了地址的正确解码，实现数据的精确访问。
静态存储器（SRAM）通过直接访问存储单元进行读写操作，其基本电路设计确保了数据的快速访问与存储。动态存储器（DRAM）则通过电荷存储与刷新机制实现数据的持久化存储，刷新过程确保了信息不丢失。
4.4 非易失性存储体与组成与控制
非易失性半导体存储体在断电情况下能够保持数据，是计算机系统中不可或缺的部分。通过存储器的容量扩展，如位扩展与字扩展，可以满足不同规模的应用需求。
存储控制涉及多个工作状态，包括地址多路转换线路、地址选通、刷新逻辑与读/写控制逻辑。这些环节的协调工作，确保了存储器的高效运行与数据的正确访问。
4.5 多体交叉存储器
多体交叉存储器通过编址方式实现数据的高效存取。通过交叉编址实现多模块间的重叠与交叉存取，优化存储器的访问效率。重叠与交叉存取控制策略进一步提升了存储器的性能，通过最小化访问间隔，提高了系统整体的运行速度。