恒流源的电路示例

如题所述

图示电路展示了如何使用增强型n-MOSFET搭建一个基础的恒流源。为了维持输出晶体管T2的栅-源电压稳定,在T2之前需要接入一个恒压源。在此电路中,T1二极管的作用相当于一个恒压源,它为T2提供了稳定的栅-源电压。因此,选择T1时应考虑其具有较低的交流电导和较高的跨导,以实现更优的恒压特性。对于T2,为了获得较大的输出交流电阻,应当使用长沟道MOSFET,并尽量减少沟道长度调制效应。
在右图所示的BJT构成的恒流源电路中,T2是负责输出恒定电流的晶体管,而T1则作为发射结二极管,为T2提供稳定的基极电压。T1的电流放大系数和跨导越高,其恒压性能越佳。为保持输出电流恒定,需要尽量降低T2的基区宽度调变效应,即Early效应。
若使用两个基极相连的p-n-p晶体管构成恒流源,则在IC芯片中,这两个晶体管可放置于同一隔离区内,这有助于减小芯片面积。然而,为了获得更优的输出电流恒定性能,应注意提高横向p-n-p晶体管的电流放大系数。
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