MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里？谢谢了

Question

如题所述

Answer 1

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；

2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。

N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

如图为增强型N沟道、P沟道MOSFET。

P MOSFET除了代表衬底的B的箭头方向外，其他部分均与NMOS相同。

N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT

可变电阻区与饱和区的界线为  VDS= VGS-VT。

在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS  <= VGS-VT。

在饱和区内：VGS>=VT，   VDS  >= VGS-VT。

P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT

可变电阻区与饱和区的界线为  VDS= VGS-VT。

在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。

在饱和区内：VGS<=VT， VDS  <= VGS-VT。

Answer 2

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，分为两大主要类别：P型MOSFET（P-MOSFET）和N型MOSFET（N-MOSFET）。它们的主要区别在于材料类型和工作原理：
1. MOSFET类型：
- P-MOSFET（P型MOSFET）：在P-MOSFET中，主要载流子是正电荷（空穴）。这意味着当栅极施加负电压时，它吸引正电荷（空穴）到沟道，使MOSFET导通。因此，P-MOSFET在栅极-源极之间的电压低于阈值电压时通常是截止状态，而高于阈值电压时导通。
- N-MOSFET（N型MOSFET）：在N-MOSFET中，主要载流子是负电荷（电子）。当栅极施加正电压时，它吸引电子到沟道，使MOSFET导通。因此，N-MOSFET在栅极-源极之间的电压低于阈值电压时通常是截止状态，而高于阈值电压时导通。
2. 工作原理：
- P-MOSFET工作原理： P-MOSFET的栅极电压通常被设置为高电平（相对于源极），以使其导通。当栅极电压低于阈值电压时，P-MOSFET处于截止状态。
- N-MOSFET工作原理： N-MOSFET的栅极电压通常被设置为低电平（相对于源极），以使其导通。当栅极电压高于阈值电压时，N-MOSFET处于截止状态。
P-MOSFET和N-MOSFET之间的主要区别在于它们的载流子类型和工作原理。 P-MOSFET主要由正电荷（空穴）驱动，需要正电压来导通，而N-MOSFET主要由负电荷（电子）驱动，需要负电压来导通。这些不同的特性使它们在电路设计中具有不同的应用和用途。本回答被网友采纳