中国国产的光刻机最小制程能达到多少？

Question

或者说分辨率能达到多少？

Answer 1

90纳米。

封装光刻机在国内市场已占据不小的份额，这是国产光刻机取得的进步。然而在代表着光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微装可生产加工90nm工艺制程的光刻机，这是国产光刻机最高水平，而ASML如今已量产7nm工艺制程EUV光刻机，两者差距不得不说非常大。

光刻机的最小分辨率、生产效率、良率均在不断发展。 光刻机的最小分辨率由公示 R=kλ/NA，其中 R 代表可分辨的最小尺寸，对于光刻技术来说R 越小越好，k 是工艺常数，λ 是光刻机所用光源的波长。

NA 代表物镜数值孔径，与光传播介质的折射率相关，折射率越大，NA 越大。光刻机制程工艺水平的发展均遵循以上公式。此外光刻机的内部构造和工作模式也在发展，不断提升芯片的生产效率和良率。

扩展资料：

注意事项：

进入机仓检查或维修必须切断电源，挂上警示牌并与中控，检修或检查时必须使用36V以下照明。

必须经常监视机器运转情况，如听任何不正常声音，应立即停机检查，查明原因并处理完故障后，方可重新起动。

正常运转中，应特别注意电机和转子的温度变化，保证充足的油润滑、水冷却，超过规定值立即停机检查。

运行时不准打开观察孔，以防物料飞出伤人，每周应检查一次转子卡箍螺栓的松紧情况。

参考资料来源：百度百科-光刻机

参考资料来源：人民网-世界首台分辨力最高的国产SP光刻机到底牛在哪？

Answer 2

【中国国产的光刻机最小制程】中国目前国产的光刻机最小制程是90纳米。用90纳米的升级到65纳米不难。但是45纳米就是一个技术台阶了。45纳米的研发比90纳米的和65纳米难很多。如果解决了45纳米那个可以升级到32纳米不难。但是下一步升级到22纳米，不能直接45纳米升级到22纳米了。22纳米用到了很多新的技术。
中国16个重大专项中的02专项提出。光刻机2015年出45纳米的并且65纳米的产业化，到2020年出22纳米的光刻机。
【光刻机】 又名：紫外曝光机、掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。是一个在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

Answer 3

光刻机不知道。现在中国最好的制程是65nm，差不多的都是90，大量厂子停留在0.13的水平。据说中芯国际攻掉了45，但没见动静。追问

能达到65nm？不错，我家amd4600+就是这个工艺

追答

基本上都是90，然后做得兼容工艺到了65，估计就是类似沉浸式光刻的法子呗，生产线过渡一下。现在TSMC代工，28nm，Intel到了22，甩咱多少代啊。
而且，我没有关于咱们国家65生产线的多少消息，良品率多少更不清楚。

追问

intel市什么类型的光刻机？

追答

这个可不知道。生产线资料都是人家厂里的事儿，很多不会透露的。一般都是从美国应用材料公司进的设备。

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Answer 4

中国大陆全国产前道光刻机由于刚刚解决光源问题，目前可以批量生产的是90~65nm，45nm样机已经出来，可用于28nmHKMG工艺生产的全国产样机，计划2020年底~2021年左右出来，2025年左右可以全国产14/10nm机器，第一代EUV的7/5nm机器计划2030年国产化。5nm以下的高数值孔径第二，三代EUV和GAA环绕栅极晶体管技术还在图纸预研阶段。