半导体器件建模 - 建模步骤,基本流程和统计模型

如题所述

半导体器件建模是连接代工厂与IC设计的重要桥梁,确保电路仿真精准。其基本流程涉及数据获取、模型构建与参数提取。首先,通过大量测试数据,包括电流电压特性,如电阻模型中的直线方程,确定模型的数学形式。建模过程分两步:第一步是选择合适的数学模型,如线性方程;第二步是通过数据拟合获取模型参数,如电阻值R。

对于复杂器件如MOSFET、BJT和Diode,模型构建需更精细。工程师会设计专用测试结构,测量并提取参数,如MOSFET的BSIM4模型提取,涉及工艺参数输入、CV和IV曲线拟合,以及针对不同尺寸、沟道和工艺波动的调整。全球模型还需要考虑工艺波动的边界模型,即corner模型,通过调整参数使仿真结果符合工艺规格。

统计模型对于描述工艺波动尤其重要,包括局部(失配)和全局波动,后者需要通过测试数据来估计。MBP和B1500A半导体分析仪等解决方案提供完整的建模和表征服务,包括自动化测量、模型提取和验证。

总而言之,半导体器件建模是一个涉及数据驱动、参数提取和模型优化的复杂过程,旨在确保设计和制造的精确性。
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