处理器
每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
外型
宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这是因为一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
参数
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看，仅默认频率带宽就高达48.4GB/s，可见DDR4对系统性能提升重要性。
DDR3，全称第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑内存规格。是现时流行的内存产品。 它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。
DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一 个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
【详细区别包括以下5方面】：
一、频率和电压
在频率方面，DDR4内存的工作频率将从2133MHz 起跳，最高甚至可以达到4266MHz。这个频率相比DDR3 内存有相当大的提升。在电压方面，DDR3 内存的工作电压为1.5V，而DDR4内存的工作电压将近一步的降低，预计最低可以做到1.2V。
二、传输机制
相对于DDR3，DDR4的一大改进就体现在信号传输机制上。它拥有两种规格:除了可支持Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)外，还引入了DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术。
三、访问机制
对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。点对点相当于一条主管道只对应一个水箱（这种机制的改变其实并不会对传输速度产生太大的影响，因为主管道的大小并没有改变），这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。
四、封装技术
DDR4内存采用3DS封装技术，3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
五、外观
DDR3内存金手指是240个，内存金手指是平直的；而DDR4内存金手指是284个，内存金手指呈弯曲状。