SSD的缓存分为两种，一种是DRAM缓存，另一种是SLC缓存。
DRAM缓存是使用DRAM芯片（也就是内存颗粒）作为缓存，固态硬盘上的DRAM芯片一般不会用来直接缓存数据，DRAM主要是用来储存FTL缓存映射表，这个映射表表达了闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系。
所有固态硬盘都有FTL映射表，不同之处在于无DRAM的SSD通常把表的主体放在闪存中，随用随取，效率较低。
高端固态硬盘会把FTL映射表完整地放入DRAM缓存中，通常需要按照1GB：1MB的比例配置DRAM缓存。
有些固态硬盘为了在节省成本的同时可以把DRAM缓存作为宣传筹码，选择了不管何种容量都只配备256MB缓存的方式，这种情况下只能直接管理256GB的闪存空间，依然存在一些不足。
所以除了观察固态硬盘是否搭载DRAM缓存芯片之外，大家还应通过芯片表面的编号查询它的具体容量，确保买到的是按照1GB：1MB完整配备DRAM缓存的高性能产品。
目前SLC缓存基本所有TLC固态硬盘都有。目前大部分固态硬盘的SLC缓存，并不是真的使用了SLC颗粒作为缓存，而是使用TLC模拟SLC来提升连续读写速度。
TLC的读写速度较慢，为了提升连续写入时固态硬盘的表现，主控会先将数据写入SLC缓存中，当缓存写满后，才会像TLC闪存中写入，这样就会造成写入速度的断崖式下跌，此时的速度被称为缓外速度，缓外速度的高低也是衡量SSD性能的重要指标。
假设一块SSD配备10GB的SLC缓存，我向固态硬盘中写入20GB的文件时，前10GB的数据先被写入到缓存中，后10GB的数据则会直接写入到TLC中。速度会呈现出下图这种形式：
虽然日常不会经常向SSD中反复写入大文件，但是缓存外写入性能直接反映了NAND颗粒的品质以及GC策略的优劣。缓外速度高的SSD比速度低的盘质量要好。
目前由于长江储存介入市场，及各大厂商的库存压力，SSD已经出现大幅的价格下降，三星的旗舰产品1TB的价格下降到900元以内。
西部数据PCIe4.0旗舰SN850，顺序读取速度达到了7000MB/秒，IOPS值高达1000K，应该来说是目前消费级SSD上最快的硬盘之一了。DRAM缓存方面，SN850采用的是镁光的DDR4缓存，1TB版本缓存容量为1GB。另外跟据其写入表现可以推测，SN850的SLC缓存应该在200GB左右。
颗粒方面，SN8501TB使用自家的闪迪原厂3D NAND，单颗容量512MB，共封装两颗，其中在1TB版本中，SN850的写入总量限制在600TBW。
三星980PRO就不介绍了，现在作为三星的次旗舰，价格也下降了不少，预算范围内买它准没错。
三星990PRO得益于全新V-NAND技术以及新推出的三星自研控制器，其顺序读取速度达到7450MB/s，顺序写入速度高达6900MB/s，随机读写高达1400K IOPS、1550K IOPS。
990PRO采用TurboWrite2.0技术，大幅提升了SLC缓存空间，2TB最高可达226GB，DRAM缓存搭配最高2GB（1TB容量版本为1GB）的三星LPDDR4缓存芯片。目前1TB的价格已经降到899元。