新型半导体材料有以下类型：
* 宽禁带半导体材料（如硅基GaN等）。此类材料的优点是具有更大的带隙和更高的击穿电场。其中氮化镓材料的蓝光技术领先世界水平。金刚石也被认为是最宽的间接能隙半导体，主要应用于紫外线和功率设备方面。立方氮化硼则为第三种可用的超硬单晶半导体材料。同时多晶型的GaSe与GaTe也属于这一类别的新兴材料。随着光伏行业的发展趋势逐渐扩大，这一领域的潜力逐渐显现。
低维半导体新材料如碳纳米管和二维半导体材料等也属于备受关注的新型半导体材料类型。其优越的导特性提升了它们的广泛应用的潜力，吸引了材料科学与物理学科研究者关注于此。与此同时，这些材料在光电子器件和集成电路等领域的应用前景广阔。
此外，二维半导体材料因其独特的物理化学特性，如优良的稳定性、透光性、高电导率等也在生物医学光学器件和集成电路方面获得了重要的应用和发展。这类材料的量子特性更让现代技术可以在微小化方向实现进一步的创新与发展，预示着其广泛的行业前景和市场前景。如超低电阻率的莫霍瑞——立韦尔反常复合材料已在新的领域中取代二氧化硅显示出优异的性能优势等。随着科技的不断进步和发展，低维半导体新材料将成为半导体行业未来研究的热点之一。
综上可知，新型半导体材料涵盖了宽禁带半导体材料、低维半导体新材料等类别，随着科技的不断进步和发展，这些新型材料的应用前景将更加广泛。