衬偏效应
简介：
MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化（不随栅极电压而变化）。
详细解释：
而对于MOS-IC而言，在工作时，其中各个MOSFET的
衬底电位是时刻变化着的，若对器件衬底的电位不加以控制的话，那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象；一旦发生这种现象时，器件和电路的沟道导电作用即告失效。所以，对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏电压，这样一来即可保证沟道始终能够正常导电。简言之，衬偏电压就是为了防止MOSFET的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。
由于加上了衬偏电压的缘故，即会引起若干影响器件性能的现象和问题，这就是衬偏效应（衬偏调制效应），又称为MOSFET的体效应。
同时，这种衬偏电压的作用，也就相当于是一个JFET的功能——沟道-衬底的场感应p-n结作为栅极，从下面来控制MOSFET的输出电流Ids。所以，对于加有衬偏电压的MOSFET，从工作本质上来说，可看成是由一个MOSFET和一个JFET并联而成的器件，只不过其中JFET的作用在此特别称为MOSFET的体效应而已。这就是说，加上衬偏电压也就相当于引入了一个额外的JFET。