在近期的电子芯片产业动态中，韩国巨头三星电子宣布了新的晶圆代工策略，旨在争夺中国大陆IC设计厂的订单。三星计划于今年年底实现10纳米制程的生产，并将采用极紫外光微影技术进行7纳米制程的开发，特别针对物联网和汽车电子提供低功耗的28纳米FD-SOI制程，以满足不断增长的市场需求。
值得注意的是，三星虽然在上海举办了技术论坛，但其在中国的投资主要集中在西安的闪存制造厂，并未规划建立晶圆代工厂。然而，三星的晶圆代工能力不容忽视，拥有韩国的8寸晶圆厂S1、美国得州的12寸晶圆厂S2以及京畿道华城市的12寸晶圆厂S3。同时，三星将提供与台积电相似的后段封测服务，并预计2017年底产能将有15%的增长。
面对台积电的强劲竞争，三星正积极迎头赶上。尽管台积电宣布将在今年底量产10纳米制程，并计划2018年投入7纳米制程，三星则跳过了7纳米的浸润式微影技术，直接采用EUV微影技术，预计在2018年底，EUV技术将支持每日生产1500片12寸晶圆。三星认为，EUV技术能降低生产成本，对先进制程的晶圆代工订单争夺至关重要。
三星对中国市场抱有高度期待，尤其是移动支付、无人机、电动车和自动驾驶等领域的供应链创新，这将为三星带来新的商业机会。因此，三星不仅会提供先进制程支持，还将在2018年第二季度开始供应28纳米FD-SOI制程，以满足物联网和汽车电子的需求。此外，三星还计划开放8寸晶圆厂产能，结合其在存储市场上的优势，提供65纳米嵌入式闪存制程和70纳米高压制程，目标是吸引大陆市场对模拟IC、CMOS图像感测器和LCD驱动IC等领域的代工订单。