有七个方面的区别;
1.外观
DDR4模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2.容量
相较于DDR3,DDR4理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量,而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。
3.速度
DDR3的最高速率为2133MT/s ,DDR4的数据传输率也从2133MT/s起跳,最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。
5.能耗
DDR3的工作电压是1.5V,而DDR4是1.2V,并且能源节省高达40%。
6.性能
在Anandtech的独立测试中, DDR4的性能比DDR3略好,但差距很小。
7.价格
一般新的内存类型初上市时,其价格都会比较高。随着时间推移,它的价格会下降到上一代产品的水平,然后大量普及,取代上一代产品。
DDR 又称双倍速率SDRAM,Double Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存。美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范JESD79, 由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输,所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s 。
DDR 不支持3.3V 电压的LVTTL ,而是支持2.5V 的SSTL2标准,它仍然可以沿用现有SDRAM 的生产体系,制造成本比SDRAM 略高一些,但远小于Rambus的价格。DDR存储器代表着未来能与Rambu 相抗衡的内存发展的一个方向。
参考资料