3nm芯片手机目前只有一款，iPhone15，将于9月13日晚上发布。
按照媒体的说法，苹果的iPhone15将于9月13日晚上发布。而这次的iPhone将搭载全球首款3nm的手机Soc芯片A17，而这也是台积电首颗量产的3nm芯片，更是全球首颗量产的3nm手机芯片。
在苹果之后，高通公司也将会切入到3nm工艺，2024年登场的高通骁龙8Gen4将会使用台积电3nm制程。值得注意的是，苹果A17芯片使用的是台积电第一代3nm工艺N3B，高通公司的骁龙8Gen4将会采用台积电第二代3nm工艺N3E。
据悉，台积电规划了多达五种3nm工艺，分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首个3nm节点，已经量产。N3E是N3B的增强版，但从台积电已经披露的技术资料来看，栅极间距并不如N3B。
不仅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之间，这意味着芯片制造过程中有至少20%的产品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能会略低于N3B。
除了采用3nm工艺，高通骁龙8Gen4将会启用自研的Nuvia架构，届时高通将用2个Nuvia Phoenix性能核心和6个Nuvia Phoenix M核心的全新双集群八核心CPU架构方案，这将是高通骁龙5G Soc史上的一次重大变化。
芯片的制造过程
1、设计阶段
首先，设计师们会根据市场需求和技术发展趋势等因素确定芯片的性能指标，并基于此设计出具体方案。这个阶段还包括原型验证、仿真测试等环节，以确保方案可行并达到预期效果。
2、掩膜制造
在完成设计后，需要将电路图转化为掩膜（Mask），即用光刻机在硅片上形成微米级别的线路图案。这一步通常由专门的半导体厂商完成。
3、晶圆生产
然后，在掩膜制作完毕后，就可以开始晶圆生产了。晶圆是一个直径约12英寸（30厘米）的硅盘子，在其中通过高温热化学气相沉积法（CVD）或物理气相沉积法（PVD）等方法逐层堆叠材料，并利用光刻机按照掩膜上所示图形进行加工。
4、切割与打孔
接下来是切割与打孔环节。在这一步中，晶圆被分割成数百甚至数千块小芯片，并且每个小芯片都会被钻孔以便连接外部元件。
5、清洁与检验
随后进行清洁与检验环节。在该流程中使用特殊设备对每个小芯片进行精密清洁和质量检查以确保没有任何缺陷或污染物存在于表面上。
6、封装
最后一个主要步骤是封装，即把已经减少大小并且有了电极连接点（焊盘）的IC贴到塑料/金属壳内，并添加散热系统及其他必要元件如滤波器、调谐器等。
7、测试阶段
最终产品进入测试阶段，通过自动化测试设备对新制造出来的手机芯片进行全面而详细地测试，确认其符合规格说明书中列明的所有参数。