考研电子技术基础要点概览
电子技术基础是考研中不可或缺的重要部分，让我们一起深入探讨半导体与PN结的基础知识，以及二极管的特性和应用。
1.1 本征与杂质半导体
半导体的基石是其独特的性质。本征半导体，即纯净晶体，由自由电子和空穴构成载流子，它们是通过价电子挣脱共价键得以释放的。光照或热能激发后，电子挣脱束缚形成自由电子，留下空穴。而掺杂半导体如N型（如锑、砷等）通过施主杂质形成，电子数量远超空穴，形成多数载流子；P型（如硼、镓）则通过受主杂质，空穴占主导，电子为少数载流子。
2.1 PN结的构造与特性
PN结，即P型与N型半导体的交融，形成耗尽区，两侧的内电场阻止载流子移动。PN结的单向导电性关键在于外加电压的方向：正向偏置，内电场减弱，扩散运动增强，表现为低阻；反向偏置则内电场加强，电流减小，呈现高阻。反向击穿则在电压超过阈值时，引发不可逆的电击穿或热击穿。
3.1 结构与分类
二极管，由PN结构成，分为硅管和锗管，按用途分为普通、整流和稳压等。点接触型适用于高频，面接触型适合低频，平面型适用于数字电路。二极管的核心是其伏安特性，正向导通时电流随电压增加而迅猛上升，而反向则有明显的饱和电流和反向击穿现象。
3.2 伏安特性和工作模式
二极管的伏安特性曲线，随温度变化而移动。正向特性上，硅管的开启电压约0.5V，锗管为0.1V；反向特性则呈现饱和电流，超过击穿电压后，反向电流急剧增加。理解这些特性，对掌握二极管的实际应用至关重要。
通过这些要点的梳理，电子技术基础的脉络更为清晰。无论是在理论学习还是实际应用中，理解这些基础概念将助你在考研路上更进一步。