静电敏感等级

Question

如题所述

Answer 1

带电模式（CDM) class voltage class c0 小于125v class c1 125v-250v class c2 250v-500v class c3 500v-1000v class c4 1000v-2000v class c5 大于2000v 人体模式（HBM） class voltage class 0 小于250v class 1A 250v-500v class 1B 500

带电模式（CDM)

class voltage
class c0 小于125v
class c1 125v-250v
class c2 250v-500v
class c3 500v-1000v
class c4 1000v-2000v
class c5 大于2000v

人体模式（HBM）

class voltage
class 0 小于250v
class 1A 250v-500v
class 1B 500v-1000v
class 1C 1000v-2000v
class 2 2000v-4000v
class 2A 4000v-8000v
class 2B >=8000v

机械模式（MM）

class voltage
class M0 <25v
class M1 25v-100v
class M2 100v-200v
class M3 200v-400v
class M4 400v-800v
class M5 >800v

Answer 2

静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏
静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏

易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件（Static Sensitive Device简称SSD）。由于科技时代的需要，小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐压性，显然是行不通的，因此在器件的集成度越来越高的趋势下，通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少，器件的耐压也随之降低。半导体器件，特别是IC，根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样，弱至100V的静电也会造成破坏，具体数据见表l。

表l各种半导体器受静电破坏的水平
元件的种类 遭受破坏的电压范围（V） 元器件典型范例
VMOS器件 30~1800 IRF640、SPP11N60S5、BSN304
MOS场效应器件 100~200 TDA4605、TDA16846
坤化镓场效应器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16
结型场效应器件 140~7000 K30A
表面滤波器 150~500 A号板的CF6264
运算放大器 190~2500 V号板LM3580
CMOS器件 250~3000 S、V号板AT27C010（L）
肖特基二极管 300~2500 高清上网板1N5817
薄膜电阻 300~3000
双极型晶体管 380~7000 C1815、A1015
可控硅 680~1000 V号板SFORIB4