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日本堆叠技术晶体管最新技术
cpu里面的
晶体管
是单层的还是多层的呢?
答:
目前CPU内部的核心总的来说还是单层的
晶体管
,但是部分模块可能会用到
堆叠
。后期如果制程无法改进,或者受限于芯片面积那么多层也可能会出现,比如Intel、台积电都有研发类似的
技术
,但是目前应该都是没有大量量产的。
2纳米芯片是什么概念
答:
一根头发丝的直径一般是5万纳米,2纳米相当于把头发丝轴向剖25000份。此前,在宣布2纳米芯片研发成功后,IBM宣称,一个指甲大小的2纳米芯片就能容纳多达500亿个
晶体管
。对于消费者来说,
新技术
使芯片降低75%能耗,提高手机的性能,例如电池的寿命可以延长将近4倍。但到了2纳米制程后,涉及原有的工艺...
IBM开发出2纳米芯片,这对芯片行业来说有什么重要的意义?
答:
制造
新
的
晶体管
不仅可以简单地在硅晶片上蚀刻芯片的特征,而且可以使它们彼此叠置。芯片制造商于2009年首先开始使用一种名为Fin FET的设计制造三维晶体管。在这种设计中,电子流过垂直板而不是平面流过晶体管。 IBM的设计更进一步,将晶体管以纳米片的形式
堆叠
在一起,穿过诸如蛋糕中的层之类的半导体材料...
最新
进展!科研人员利用超导体触点,有望实现1nm芯片
答:
目前,台积电
技术
研究部门已经开始“铋(Bi)沉积制程”技术的研究,这项研究已经成为未来1nm工艺的突破所在。通过这项技术,研究人员可以设计出具有非凡性能的微型化
晶体管
,可以有效满足了未来晶体管和芯片技术路线图的要求。超薄半导体材料的成功验证,给我们展现出下一代半导体的无限潜力 ,未来的计算机...
推进半导体
技术
发展的五大趋势
答:
我们将这些创新归纳为半导体
技术
的五大发展趋势。 趋势一:摩尔定律还有用,将为半导体技术续命8到10年… 在接下来的8到10年里,CMOS
晶体管
的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV模式和引入新器件架构来实现逻辑标准单元缩放。 在7nm技术节点上引入了极紫外(EUV)光刻,可在单个曝光步骤中对一些最关键的芯片...
芯片纳米为什么越小越好
答:
当栅极长度(或沟道长度)减小到一定程度时,容易产生量子隧穿效应,从而导致大电流泄漏问题。这就是FinFET,或者说鳍式场效应
晶体管技术
出现的原因。晶体管从2D平面结构走向3D鳍片结构,增加鳍片高度可以减少漏电的发生,进一步提高性能或者降低功耗。在FinFET结构中,三个面被栅极包围,可以有效控制漏电。随着...
堆栈
式cmos有什么优势
答:
这就是
堆栈
式CMOS。为像素区域 为处理电路 为高速缓存 堆栈式,背照式,前照式,这三个类型是单独的,不存在从属关系。我们可以使用背照式的
技术
,再用堆栈式的结构,发挥最大优点。所以索尼的Exmor RS,其实就是背照式和堆栈式的结合。有了堆栈式的结构,我们能在处理电路得到更多的
晶体管
,拥有更...
如何选择满足FPGA设计需求的工艺?
答:
在某一电路中封装多少
晶体管
大致取决于两个问题:晶体管能够靠得多近,互联之间有多大的间距才能满足它们的连接要求。两者都会带来限制,这取决于电路设计和布局。当然,晶体管能够封装的距离有多近取决于其大小和形状。从本地互联、接触层往上,越到上面的金属层
堆叠
(图1),层距就越会急剧增大。一般...
Intel 3、Intel 18A都是啥?英特尔2025制程路线图浅析
答:
这里英特尔
新
模块化战略将会起到作用,例如Intel 3和Intel 4制程将共享一些特性。相对Intel 4,Intel 3每瓦能够提升约18%。 2024年,Intel 20A。 从这里开始就是英特尔制程的转折点,A代表埃米Ångström,10Å等于1nm,在此之前被称为Intel 5nm。由于英特尔在这个时间点将从FinFET转向RibbonFET,即环绕栅极
晶体管
设计...
14项“黑科技”揭示
新
能源汽车
技术
趋势
答:
5、800伏碳化硅逆变器
技术
——德尔福 科技 该逆变器技术的核心是开发和应用了Viper电源开关。该开关高度集成了双面散热技术,并将原来的硅质绝缘栅双极
晶体管
(IGBT)电源开关更换为了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关。与前几代逆变器相比,可以减少40%的重量,缩小30%的整体尺寸,提高25%的功率密度,同...
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