在MOS-IC的运行过程中，每个MOSFET的衬底电位处于动态变化之中。若不对衬底电位进行调控，可能会导致场感应结和源-衬底结出现正偏，这将直接导致器件和电路功能失效。因此，为了确保MOSFET的正常工作，必须在源区与衬底之间施加一个反向电压，称为衬偏电压。它的主要目的是抵消这些可能的偏置，防止MOSFET的性能受到影响。
衬偏电压的引入，实际上产生了一系列与器件性能相关的效应，即衬偏效应或MOSFET的体效应。这个电压的作用类似于JFET，通过控制沟道-衬底之间的场感应p-n结，调控输出电流IDS的大小。因此，带有衬偏电压的MOSFET在本质上可以看作是由一个MOSFET和一个JFET并联而成，其中JFET的作用体现在MOSFET的体效应部分。简而言之，衬偏电压的引入相当于在MOSFET中附加了一个额外的JFET功能。
这是MOSFET及其IC在使用中需要特别注意的一个重要问题。因为MOSFET是依靠表面反型层——沟道来导电的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结，该pn结在任何情况下都不应该受到损害。