单晶硅传感器采用微电子机械加工技术（MEMS）精密制造，高低端压力通过隔离膜片和填充液传递到单晶硅敏感元件，受力时惠斯登电桥失衡电阻值发生变化，利用电流激励，转换成与差压值成线性变化电压值输出。
全隔离封装，优秀的抗干扰能力。单晶硅敏感元件绝缘安装在传感器膜盒内部，测量压力通过隔离膜片和填充液传递，从而实现了全隔离封装，避免受到测量和环境的温度变化、电气干扰和机械振动影响。
高频响应能力。单晶硅材质具有优异的性能，其固有谐振频率超过500Hz，压力传递到敏感元件上，立即被感应被转换为信号输出，整体响应时间不超过5mS，适合高频动态场合应用。
强大的抗过载能力。双过载保护技术，中心膜片和隔离膜片组成双过载保护，正常测量中，隔离膜片接触压力变形，填充液传递给中心膜片和敏感元件。隔离膜片与坚固膜盒本体有相同的波纹结构，高低压某端压力过大时，中心膜片在高压下的变形，避免过多填充液传递给敏感元件，隔离膜片完成紧贴膜盒本体，即使压力继续增大，填充液也不再传递给敏感元件，从而实现了过载保护，单晶硅材料的弹性性能极佳，恢复正常后不影响测量。
传感器模块化。在生产中，传感器按照工作范围的压力和温度进行循环测试，进行6个温度段和15个点线性化补偿，所有计算数据都保留在传感器膜盒内部自带内存中，在后续生产或维修中，变送模块可以通过读取内存中的数据，实现高精度输出。
解决金属电容传感器的抗干扰性能
金属电容传感器由两侧电容极板和中心敏感膜片组成检测元件，高低端压力通过隔离膜片和填充液传递到中心敏感膜片，两端压力差值造成敏感膜片产生与差压值成线性的位移变化，敏感膜片和电容极板之间的电容，经电压激励转换为电流值输出。
用隔离型变送模块来改进金属电容抗干扰方面的性能，终究是治标不治本，全隔离的单晶硅传感器才是提高抗干扰性能的解决之道。
