课题名称：集成电路环境与半导体器件
一、分析研究课题
集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。
自从1958年世界上第一块IC问世以来，特别是近20年来，几乎每隔2-3年就有一代产品问世，至目前，产品以由初期的小规模IC发展到当今的超大规模IC。IC设计、IC制造、IC封装和IC测试已成为微电子产业中相互独立又互相关联的四大产业。微电子已成为当今世界各项尖端技术和新兴产业发展的前导和基础。有了微电子技术的超前发展，便能够更有效地推动其它前沿技术的进步。随着IC的集成度和复杂性越来越高，污染控制、环境保护和静电防护技术就越盲膨响或制约微电子技术的发展。同时，随着我国国民经济的持续稳定增长和生产技术的不断创新发展，生产工艺对生产环境的要求越来越高。大规模和超大规模Ic生产中的前后道各工序对生产环境提出了更高要求，不仅仅要保持一定的温、湿度、洁净度，还需要对静电防护引起足够的重视。
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。功能多样的半导体器件正是利用半导体材料的这些性质才制造出来的。
由于科技进步日新月异，集成电路和半导体的发展也非常的迅速，不仅对半导体和集成电路本身，而且对其生产的环境，也有更高的要求，何况由于科学技术的发展，人们以往所获得的知识也会有所变化，因此，需要对这方面的知识以及其在世界范围内的发展趋势进行全方位的掌握，本课题主要就是查找集成电路环境和半导体器件方面的一些知识以及研究情况。
二、制定检索策略
1、选择检索手段
本课题的检索手段以计算机检索为主，同时将手工检索与计算机检索相结合。
2、选择检索工具
欲查找“集成电路环境与半导体器件”方面的文献，必须选用恰当的检索工具。根据课题要求以及检索工具收录文献源的情况，本课题选用综合性检索工具和数据库及集成电路类专业检索工具和数据库。具体选用下列检索工具和数据库：
（1）《全国报刊索引》
（2）《全国新书目》
（3）《中国国家数目》
（4）《中国专利索引》
（5）《工程索引》
（6）CNKI期刊全文数据库
（7）万方数据资源系统
（8）超星数字图书馆
（9）中文科技期刊全文数据库
（10）中国学术会议论文数据库
（11）中国学位论文数据库
（12）中国专利数据库
（13）中华人民共和国国家知识产权局网站
（14）Engineering Village 2数据库
（15）荷兰Elsevier全文数据库
（16）欧洲专利数据库
3、选择检索方法
本课题主要为了获取近几年来国内外的研究情况，检索方法选择顺查法和倒查法相结合。
4、选择检索途径
本课题的查找，可从分类和主题途径进行检索。
（1） 分类途径
从课题分析可知，本课题的学科分类属于工业技术。根据《中国图书馆图书分类法》的类目设置，可选择以下分类号作为检索入口：
TN4 集成电路
TN3 半导体技术
TN36半导体光电器件
TN37半导体热电器件、热敏电阻
（2）主题途径
根据课题分析，可选用以下主题词作为检索入口：
中文主题词：集成电路；环境；半导体器件；半导体集成电路
英文主题词：integrated circuits；conditions; semiconductor devices；
5、构造检索式
在计算机检索系统中，各检索词通过逻辑组配关系确定运算方式。本课题的检索可选择以下逻辑运算制定检索策略：
（集成电路AND环境）OR半导体器件
（ integrated circuits and conditions）or semiconductor devices
三、实验性检索
以CNKI全文数据库做试验性检索。
打开CNKI全文数据库，选择高级检索，数据库范围选择全选，数据库时间范围选择1990到2006年，排序选择按收录时间顺序到排。检索字段选择在篇名/关键词/摘要中检索。在检索对话框中分别输入“集成电路 ”、“环境”、“半导体器件”。
检索词之间的逻辑运算关系第一个选择“与”，第二各选择“或”。点击”检索“按钮，获得检索结果。经阅读命中文献的详细信息，符合检索课题要求。
四、正式检索
根据所选用的检索方法，在选择的检索工具和数据库中分别进行检索。
本课题的检索可按文献类型分别检索国内外相关文献。
1、国内期刊论文的检索
欲查找本课题的相关国内期刊论文信息，可选用《全国报刊索引》、CNKI期刊全文数据库、中文科技期刊全文数据库、万方数据资源系统数字化期刊等检索工具和数据库。
（1）检索工具以2000年《全国报刊索引》（自然科学技术版）为例
从2004年《全国报刊索引》第7期中，按分类号“TN4：微电子学，集成电路“逐条查找，获得1篇文献符合要求：
000712565 论微电子环境中的静电防护 王泽恒（长春科技大学） 现代情报 -2000，（2）。-59-60
再按分类号“TN3：半导体技术”逐条查找，找到3篇文章符合要求：
000811849 ZnO压敏电阻器耐湿性能影响因素的研究 王建文（陕西西安无线电二厂）；邓一鸣；杨明等 传感器技术 -2000，19（2）。-13-16
000811877 高温超导多芯片组件 杜晓松（电子科技大学）；杨邦朝 电子元件与材料 -2000，19（2）。-22-23，33
000811885 CMOS/SOP抗核加固电路辐照衙的恢复特性 王怀荣（沈阳东北微电子研究所）；姚达；苏秀娣等 吉林大学自然科学学报 -1999，（3） -72-74
检索工具的检索结果为题录或文摘，要获取命中文献的全文，需要根据检索结果中提供的文献出处，进而获取文献全文。
（2）计算机检索以CNKI期刊全文数据库为例
进入CNKI期刊全文数据库，选择“高级检索”，在两个检索对话框中分别输入“半导体”、“集成电路 ”、“环境”，在检索字段下拉式菜单中选择“主题”。点击检索按钮，得到检索结果。经对检索结果阅读。、分析，符合课题要求。简缩结果的全文可以打印、下载。现列出其中1篇命中文献的文摘著录格式。
先进半导体硅材料:优化纳米集成电路性能的重要基础
【英文篇名】 Dosimeters based on radiation effects of Si ICs
【作者】 张庆祥; 侯明东; 甄红楼;
【英文作者】 ZHANG Qing-xiang; HOU Ming-dong; ZHEN Hong-lou（Institute of Modern Physics; Chinese Academy of Science; Lanzhou of Gansu Prov.; China）;
【作者单位】 中国科学院近代物理研究所; 甘肃兰州;
【刊名】 核电子学与探测技术 , Nuclear Electronics & Detection Technology, 编辑部邮箱 2002年 04期
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【关键词】 半导体器件; 辐射效应; 总剂量效应; 单粒子效应; 空间环境探测;
【英文关键词】 semiconductor detectors; radiation effects; total dose effect; single event effect; space radiation environment;
【摘要】 空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应 ,可以被用来进行空间辐射环境监测。在一定条件下 ,基于此原理的探测器具有常规的面垒型探测器以及 PIN型探测器等所不具备的优点。尤其适合航天器舱内带电离子探测和用于航天医学的个人辐射剂量探测。介绍了三种基于半导体器件辐射效应的探测器。
【英文摘要】 Radiation effects in Si ICs , such as total dose effect, single event effect , et al., can be utilized to measure space radiation environment. Detectors based on these effects have some advantages compared with conventional semiconductor detectors ( barrier detector and P-I-N diode) as dose depth monitor in spacecraft and "skin" dosimeter for personnel. Three of these kinds of detectors and their uses in space are introduced in this paper.
【基金】 国家自然科学基金 (19775 0 5 8, 10 0 75 0 6 4 ) ;; 中国科学院“九五”重大课题 (KJ95 2 - SI-4 2 3)
【DOI】 CNKI:ISSN:0258-0934.0.2002-04-025
2、本课题相关标准和专利的检索
欲查找本课题的相关标准和专利等信息，可选用《中国专利索引》和标准检索工具等书本式检索工具和万方数据资源系统镜像站中华人民共和国国家知识产权局网站、中国专利数据库等。现以《中国专利索引》（手工）和万方数据资源系统以及Springer等有关数据库（计算机）专利与标准检索为例，列出其中一些命中的文献及其简要格式。
[1].手工检索结果：
【国际专利分类号 授权公告号 专利号
专利权人 实用新型/发明名称 】
H01L 23/48 CN2201727Y ZL94241608.2
东南大学 陶瓷封装半导体抗电涌器件
H01L 29/74 CN2196820Y ZL94204295.6
许正山 可关段型可控硅
H01L 23/40 CN1029056C ZL93108095.9
株式会社日立制作所 电子器件的冷却装置
H01L 49/00 CN1027607C ZL91108927.6
云南大学 高灵敏度半导体气敏元件
H01L 29/784 CN1098227A ZL94104088.7
株式会社半导体本能源研究所 半导体器件及其制作方法
【标准名称 标准号】
电力半导体用散热器 GB 8446.1-87
半导体直接直流变流器 GB 7677-87
[2].计算机检索结果：
专利名称：半片半导体压电器件结构和电-声电荷传送器件
专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请号： 02814687.5
专利名称：半导体发光器件
专利权人：夏普株式会社
申请号： 200410082163.5
专利名称：半导体集成电路器件
专利权人：尔必达存储器株式会社；株式会社日立ULSI系统
申请号： 200410100687.2
标准名： 半导体器件命名系统
标准号： ANSI/EIA-370-13-1992
标准名： 半导体器件同名终端功能的编号和多单元半导体器件的单元名称
标准号： ANSI/EIA-321-C-1987
标准名： 半导体器件的机械标准化，尺寸
标准号： BS IEC 60191-2-1992
3、国内学术会议、学位论文、科技成果等信息的检索
欲查找本课题的相关国内学术会议、学位论文、科技成果等信息，可选用《中国学术会议文献通报》、《中国学位论文通报》等书本式检索工具和万方数据资源系统的中国学术会议论文数据库、中国学位论文数据库、中国科技成果数据库、中国专利数据库等。现以万方数据资源系统的中国学术会议论文数据库的检索结果为例，列出其中1篇命中文献的著录格式。
半导体器件分布式模拟系统的设计
【作者】 张斌;
【导师】 颜永红;
【学位授予单位】 湖南大学;
【学科专业名称】 微电子学与固体电子学
【学位年度】 2003
【论文级别】 硕士
【网络出版投稿人】 湖南大学
【网络出版投稿时间】 2003-07-21
【关键词】 半导体器件模拟; 分布式; 并行模拟; 数值分析; 中间件;
【英文关键词】 semiconductor device simulation; distribution; parallel compute; numerical analysis; middle ware;
【中文摘要】 概述了半导体器件模拟软件的发展现状，分析了半导体器件的模型，研究了半导体器件模拟的基本方法和典型过程，分析了半导体器件发展的要求和几种器件模拟计算方式的比较及分布式器件并行模拟系统的必要性、可行性和现实意义。详细阐述了半导体器件数值模拟的模型、模型的基本方程，探讨了器件数值分析特有的边界条件及算法分析，具体说明器件模拟软件须解决的问题。探索了器件并行模拟系统所需的计算机技术和模拟系统的功能模块划分，并具体部分实现了客户端程序设计、中间件设计和服务器端程序设计，运用它完成对晶体管的掺杂浓度分布、电子和空穴浓度模拟，并对输入参数进行了讨论和计算结果输出进行了分析。在此基础上，使用MATLAB5.3数值计算工具完成了晶体管的一维稳态分析，以验证模拟系统结果的正确性。简要阐述了半导体器件模拟软件在新器件开发中的应用，对性能模拟扩展与工艺模拟集成的优势作了简述。最后，系统地总结了所完成的主要工作和分布式并行模拟系统的创新之处。
【英文摘要】 The actuality of semiconductor device simulation software development is summarized, and the model of semiconductor devices, the basic methods of semiconductor device simulation and the representative procedures are developed, then the increasing demand of semiconductor devices, the comparison with several simulation systems for semiconductor devices and the necessity, the feasibility, the significance of the distribution parallel simulation for devices are analyzed. The model of semiconductor devices an...
【DOI】 CNKI::CDMD:10532.2.2003.0870
4、国外相关信息的检索
欲查找本课题相关外文信息，可选用Engineering Village 2数据库、荷兰Elsevier全文数据库、欧洲专利数据库等进行检索。
根据前面所论述的检索策略与检索方法，分别以“Semiconductor Devices”在所选择的数据库中进行检索，即可得到所需要的相关信息。
现列出Engineering Village 2数据库中命中2篇文献。
A Method of the Thermal Resistance Measurements of Semiconductor Devices with P-N Junction
Janusz Iarebski and Krzysztof Gorecki
Measurement,Inpress,Accepted Manusccript;Available online 21 November 2006
A straight for ward analytical method for extraction of semiconductor device transient thermal paramenters
F.N.Masana
M:Croelectronics and Reliability,In Press,Corrected Proof,Availbale online 14 November 2006
五、获取原文与课题检索结果分析
通过以上书本式检索工具和数据库的检索，获得了大量相关信息。对于书本式检索工具及题录、文摘型数据库的检索结果，需要根据检索结果提供的文献出处进而获取原文。对于全文型数据库的检索结果可以直接获取原文。
根据课题内容要求，通过上述过程的检索，该研究课题的国内外文献收集比较齐全，能满足该课题的研究需要。
温馨提示：答案为网友推荐，仅供参考