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igbt开关速度
请问
IGBT
的
开关速度
过高会导致浪涌电压的产生,这个说法从原理上该如何...
答:
当
IGBT
动作
速度
过快,没有在电源电流过零或者过零附近就将电源切断,在电机中由于原有电流所产生的磁场将感应出一个过电压,这个过电压通过导体传导到IGBT,由于两者之间的波阻抗相差很大,过电压波将被反射回去,放射回去的电压波形与原有的电压波形叠加,产生了浪涌电压。这个过电压会多次反射从而使得电压...
igbt
的特点和选择方法
答:
3. 高开关速度:IGBT具有快速的开关速度,能够在短时间内切换导通和截止状态
。4. 可控性:通过适当的门极电压和电流,IGBT的导通状态可以被精确地控制。5. 集成电流保护:现代IGBT通常包括集成的过电流保护功能,以避免器件因过电流而损坏。6. 耐电磁干扰:IGBT通常能够抵御电磁干扰,使其在嘈杂的工作环...
IGBT开关速度
答:
回答:
IGBT
的
开关速度
受电流上升率的限制,你说的1微妙很难做到的,也就说说跟电流的大小有关
IGBT
为什么不能用于
开关
频率太高的场合?
答:
以下是
IGBT
不能用于开关频率太高的场合的主要原因:1. 内部特性:IGBT的内部结构包括一个绝缘栅和一个PN结,这与其工作原理有关。在开关过程中,IGBT的栅极需要充电和放电,这需要一定的时间。这个充电和放电时间会导致IGBT的
开关速度
相对较慢。因此,IGBT不适合高频开关应用,因为它无法迅速切换。2. 损耗...
IGBT
有一个工作频率,怎么解释
答:
IGBT的开关转换速度非常快,大大超过了传统的电子元器件
。因此,IGBT可以在高频率下工作,这使得它在许多高频率的电力电子系统中有着广泛的应用,比如开关电源、逆变器和频率转换设备等。但是,值得注意的是,IGBT的工作频率并不是越高越好。因为IGBT在开关转换过程中会有一定的能量损失,频率越高,单位时间...
为什么
IGBT开关速度
块,能实现小电流控大电流
答:
IGBT
是一个复合管,它是由2个三极管与一个场效应管集成到一个的复合管,在三极管的基极输入电压,经二极放大驱动场效应管,场效应管导通,主回路可通过很大电流。控制过程全部为电的传输过程,因此
速度
快。控制以电压驱动实现,电流很小。大电流是场效管的主回路。
igbt
栅极电阻会影响
开关速度
么?
答:
那是非常一定的,栅极电阻的大小决定了
IGBT
的
开关速度
。A、 Rg值小——充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因dv/dt的误导通。不足的是承受噪声能力小,易产生寄生振荡,使开通时di/dt变大,增加逐流二极管(FWD) 恢复时的浪涌电压。B、 Rg值大——性能与上述相反。...
IGBT
,GTR,VMOSFET,SCR,GTO的
开关速度
比较?答案
答:
IGBT
的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<SCR<GTR<IGBT<MOSFET 另外,设计电路中选择功率器件不能只考虑频率,还有如
开关
损耗、驱动电路的设计、电流电压等级,所以说这是个折衷考虑的...
IGBT
与MOSFET的
开关速度
比较?
答:
因功率MOSFET具有
开关速度
快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加,因此在大功率电子设备中的应用受至限制。
IGBT
是少子器件,它不但具有非常好...
igbt
作为
开关
使用时有响应
速度
快的优点
答:
IGBT
将场效应管的
开关速度
快、高频特性好、热稳定性好、功率增益大及噪声小。根据查询相关信息显示,
igbt
是与双极型大功率三极管的大电流、低导通电阻特性集于一体,是性能较高的高速、高压半导体功率器件。
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