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半导体物理nD是什么
半导体
漂移扩散模型中,n是电子浓度,
n_d是
掺杂浓度,n是不是远远大于n...
答:
不,
一般载流子浓度约等于掺杂浓度,因为掺杂的目的就是提高载流子浓度,比如Si,ni大约10^10,ND大约10^15
,因为掺杂浓度很低没有意义,这样得到的电子浓度就约等于ND了,一般ND是施主能级,如果Si作为半导体材料的话,P(磷)就是施主,(化学元素周期表可知)。每一个P(磷)提供1个电子,所以ND与N...
求教
半导体物理
学几个基本概念
答:
杂质半导体载流子浓度(n型)
n型半导体中存在着带负电的导带电子(浓度为n0)、带正电的价带空穴(浓度为p0)和离化的施主杂质(浓度为nD+),因此电中性条件为 一般求解此式是有困难的。 实验表明,当满足Si中掺杂浓度不太高并且所处的温度高于100K左右的条件时,那么杂质一般是全部离化的,这样电中性条件可以写成 一般Si...
请问
什么
叫做载流子
答:
载流子就是带有电荷、并可运动而输运电流的粒子,包括电子、离子等
。半导体中的载流子有两种,即带负电的自由电子和带正电的自由空穴。实际上,空穴也就半导体中的价键空位,一个空位的运动就相当于一大群价电子的运动;只不过采用数量较少的空穴这个概念来描述数量很多的价电子的运动要方便得多。所以,从...
Nd
:YVO4
是什么
,怎么念?
答:
掺钕钒酸钇 掺钕的YVO4晶体(Nd:YVO4
,掺杂浓度0.2at%-3.0at%)在激光波长有大的受激辐射截面 ,对泵浦光有高的吸收系数 和宽的吸收带宽 ,光损伤阈值高,并具有优良的机械、物理、光学性能,这些都使得它特别适于制作半导体二极管泵浦 的微小型固体激光器。与KTP等倍频晶体 或周期极化晶体倍频器件...
半导体物理
中的重掺杂的概念?
答:
掺杂是针对杂志半导体而言,
就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质
。重掺杂就是参入的杂志浓度比较大。
什么
是缓变结
答:
电气工程名词。缓变结是PN结的
物理
模型,通过局部掺杂的方法使
半导体
中一部分区域为p型,另一部分为n型,在其交界就形成了pn结。一般情况下形成的pn结为缓变结,即从p型区到n型区过度的部分掺杂浓度缓慢变化,为了简化分析,将其视为突变结,假设PN结的p区和n区都为均匀掺杂,掺杂浓度分别为NA和
ND
。
nd
:yag激光
叫什么
激光
答:
nd
:yag激光叫镭射激光。生成原理:当将激活物质放在两个互相平行的反射镜,(其中一片100%反射另一片50%透射镜)就可构成的光学谐振腔,在这光学谐振腔内,非轴向传播的单色光谱被排出谐振腔外:轴向传播的单色光谱在腔内往返传播。激光是20世纪以来,继原子能、计算机、
半导体
之后,人类的又一重大发明...
急求一道
半导体物理
题的解答?
答:
你用n。=
nD
=1/7(
ND
)这个关系式就好了。把导带浓度公式及电离施主浓度公式一套就可以算出来了。公式太繁杂了,不好打…你稍微得去推一下
半导体物理
答:
T=77k 低温弱电离 n0=[(NdNc/2)^(1/2)]exp(△ED/2k0T) Nc正比于T^3/2 △ED=0.044eV T=300k 强电离区 n0=
Nd
;T=500k 过渡区 ni^2=n0*p0; n0=Nd+p0联立求解;T=800k 高温本征区 n0=p0=ni>>Nd
请问
什么
叫做载流子
答:
对于杂质
半导体
,N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子),而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下,N型半导体中多子浓度nn及少子浓度pn分别为 P型半导体中多子浓度pp及少子浓度np分别为 上二式中
ND
为施主杂质浓度,cm-3;NA为受主...
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